再通过蒸馏和化学气相沉积（CVD）提纯，再通过蒸馏和化学气相沉积（CVD）提纯，​研磨​：用氧化铝浆料机械研磨晶圆表面，得到9N-11N（99.9999999%~99.999999999%）超高纯多晶硅，消除切割损伤层，​电子级硅（EGS）​​：冶金级硅经盐酸氯化生成三氯硅烷（SiHCl₃）， 晶圆是由纯硅（Si）制成的，使厚度均匀（1m公差）， ，​电子级硅（EGS）​​：冶金级硅经盐酸氯化生成三氯硅烷（SiHCl₃），。

得到9N-11N（99.9999999%~99.999999999%）超高纯多晶硅。